[发明专利]一种高阶温度补偿的带隙基准电路

摘要

本发明请求保护一种高阶温度补偿的带隙基准电路，包括一阶带隙基准电路、高温区域曲率补偿电路、低温区域分段补偿电路、低温区域曲率补偿电路以及启动电路。本发明采用源极、漏极及栅极短接的PMOS管的漏极‑衬底电压产生负温度系电压，采用两个源极、漏极及栅极短接的PMOS管的漏‑衬底电压之差产生正温度系数电压，并将正温度系数电压与负温度系数电压进行加权求和获得一阶带隙基准参考电压，利用高温区域曲率补偿电路中电流I₁₆、低温区域分段补偿电路中电流I₂₂以及低温区域曲率补偿电路中电流I₂₄在电阻R7上产生的电压分别对带隙基准参考电压进行温度补偿，从而实现一种高阶温度补偿的带隙基准电路。

主权项

1.一种高阶温度补偿的带隙基准电路，其特征在于，包括：一阶带隙基准电路(1)、高温区域曲率补偿电路(2)、低温区域分段补偿电路(3)、低温区域曲率补偿电路(4)及启动电路(5)，其中，所述一阶带隙基准电路(1)的信号输出端分别接所述高温区域曲率补偿电路(2)的信号输入端、低温区域分段补偿电路(3)的信号输入端、低温区域曲率补偿电路(4)的信号输入端及启动电路(5)的信号输入端，所述启动电路(5)的信号输出端接所述一阶带隙基准电路(1)的启动信号输入端，所述高温区域曲率补偿电路(2)、所述低温区域分段补偿电路(3)以及所述低温区域曲率补偿电路(4)的电信号输出端分别接所述一阶带隙基准电路的电信号输入端；所述一阶带隙基准电路(1)用于产生一阶带隙基准参考电压，所述高温区域曲率补偿电路(2)的电流I₁₆在电阻R7上产生的电压V_NL1、所述低温区域分段补偿电路(3)的电流I₂₂在电阻R7上产生的电压V_NL2以及所述低温区域曲率补偿电路(4)的电流I₂₄在电阻R7上产生的电压V_NL3对所述一阶带隙基准电路(1)所产生的一阶带隙基准参考电压进行温度补偿，所述启动电路(5)为所述一阶带隙基准电路(1)提供启动信号；所述一阶带隙基准电路(1)包括：PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、放大器A1、放大器A2以及放大器A3，其中PMOS管M1的源极分别与PMOS管M4的源极、PMOS管M5的源极、PMOS管M6的源极、PMOS管M7的源极以及外部电源VDD相连，所述PMOS管M1的漏极分别与放大器A2的正向输入端以及电阻R1的一端相连，所述PMOS管M1的栅极分别与放大器A2的输出端、PMOS管M17的栅极以及NMOS管M30的漏极相连，PMOS管M4的漏极与电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端分别与放大器A2的反向输入端、放大器A1的正向输入端以及电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端分别与PMOS管M2的栅极、PMOS管M2的源极以及PMOS管M2的漏极相连，PMOS管M4的栅极分别与PMOS管M5的栅极、PMOS管M8的栅极、PMOS管M20的栅极、PMOS管M23的栅极、NMOS管M29的漏极以及放大器A1的输出端相连，PMOS管M5的漏极分别与放大器A3的正向输入端以及电阻R4的一端相连，电阻R4的另一端分别与放大器A1的反向输入端、PMOS管M3的栅极、PMOS管M3的源极以及PMOS管M3的漏极相连，PMOS管M6的栅极分别与放大器A3的输出端、PMOS管M7的栅极以及NMOS管M28的漏极相连，PMOS管M6的漏极分别与放大器A3的反向输入端以及电阻R5的一端相连，PMOS管M7的漏极分别与带隙基准电路输出端VREF以及电阻R6的一端相连，电阻R6的另一端分别与PMOS管M16的漏极、PMOS管M22的漏极、PMOS管M24的漏极、NMOS管M27的栅极以及电阻R7的一端相连，电阻R7的另一端分别与电阻R5的另一端、PMOS管M3的衬底、PMOS管M2的衬底、电阻R1的另一端以及外部地线GND相连。