[发明专利]深AB类功率放大器的前馈式幅度线性化方法及电路有效

专利信息
申请号: 201811063522.0 申请日: 2018-09-12
公开(公告)号: CN109302155B 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 张俊峰;韩洪征;施子韬;宋永华 申请(专利权)人: 博流智能科技(南京)有限公司
主分类号: H03F1/32 分类号: H03F1/32;H03F3/187;H03F3/213;H03G3/30
代理公司: 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 代理人: 段迎春
地址: 211800 江苏省南京市高*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明揭示了一种深AB类功率放大器的前馈式幅度线性化方法及电路,所述方法包括如下步骤:将输入信号包络检测器输出信号转换为CMOS射频功率放大器PA偏置电压,让偏置电压随着输入信号幅度升高而降低,从而用CMOS射频功率放大器PA偏置电压降低带来的增益降低抵消CMOS射频功率放大器PA晶体管从亚阈值区进入饱和区而导致的增益升高,达到线性化幅度增益。本发明提出的PA偏置电压自动调整电路、深AB类功率放大器的前馈式幅度线性化方法,可以实现对深AB类偏置下的PA的幅度增益的线性化,达到降低功耗同时保持PA线性的目的。
搜索关键词: ab 功率放大器 前馈式 幅度 线性化 方法 电路
【主权项】:
1.一种深AB类功率放大器的前馈式幅度线性化电路,其特征在于,所述前馈式幅度线性化电路包括:偏置电压产生电路,从一固定电流中减去包络检测电路输出的包含包络信息的电流,以产生和输入信号幅度负相关的偏置电流,而后转换为偏置电压;从而能用偏置电压的降低带来的CMOS射频功率放大器PA增益降低抵消CMOS射频功率放大器PA晶体管从亚阈值区进入饱和区而导致的增益升高。
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