[发明专利]SAW器件及制造方法以及包括其的电子电路和电子器件有效
| 申请号： | 201811061576.3 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109616569B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | R·辛德曼;史蒂夫·伯吉斯 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N30/88 | 分类号： | H10N30/88;H10N30/02;H03H9/64 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及一种使表面声波(SAW)器件的谐振频率的不均匀性降低的方法，该SAW器件包括通过反应溅射沉积在压电基底上的叉指式换能器上的含硅的氧化物的硅氧化物层。该方法包括：将具有叉指式换能器的压电基底定位在基底支撑件上；随后，在所述压电基底和所述叉指式换能器上沉积含硅的氧化物的硅氧化物层以形成SAW器件。所述基底支撑件相对于溅射靶定位，从而所述SAW器件的硅氧化物层具有11埃或更低的算术平均表面粗糙度(R |
||
| 搜索关键词： | saw 器件 制造 方法 以及 包括 电子电路 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种使表面声波(SAW)器件的谐振频率的不均匀性降低的方法，所述SAW器件包括通过反应溅射沉积在压电基底上的叉指式换能器上的含硅的氧化物的硅氧化物层，所述方法包括：(i)将具有叉指式换能器的压电基底定位在基底支撑件上；并且在所述压电基底和所述叉指式换能器上沉积含硅的氧化物的硅氧化物层以形成第一SAW器件；所述基底支撑件相对于溅射靶定位，从而所述第一SAW器件的硅氧化物层具有11埃或更低的算术平均表面粗糙度(Ra)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于SPTS科技有限公司，未经SPTS科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811061576.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
