[发明专利]一种控制自由层畴结构在磁性隧道结中实现十态数据存储的方法有效
| 申请号： | 201811060639.3 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109243511B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 田玉峰;颜世申;钟海;陈延学;柏利慧;康仕寿 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L43/08 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种控制自由层畴结构在磁性隧道结中实现十态数据存储的方法，包括：(1)测量磁性隧道结的磁滞回线，找出初始磁场；(2)在负磁场方向对磁性隧道结施加初始磁场；(3)对磁性隧道结施加正方向磁场，通过No overshot模式，以0～200奥斯特/秒的增加速率，将正方向磁场增大到写入磁场，得到某一多磁畴状态；(4)改变写入磁场的大小，并执行步骤(2)至步骤(3)，得到另一多磁畴状态；重复执行该步骤直至获得十种多磁畴状态；(5)读出十种多磁畴状态。本发明更可以直接应用到现有的磁性隧道结构中，极大的拓展目前磁性隧道结的性能。本发明在高密度、低功耗新型自旋电子存储器方面有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 自由 结构 磁性 隧道 实现 数据 存储 方法 | ||
【主权项】：
1.一种控制自由层畴结构在磁性隧道结中实现十态数据存储的方法，所述磁性隧道结包括钉扎层、绝缘层、自由层，所述钉扎层与所述自由层之间夹有所述绝缘层，其特征在于，包括步骤如下：(1)测量所述磁性隧道结的磁滞回线，从磁滞回线中分析得到钉扎层和自由层发生反转的矫顽场，选取初始磁场，使之满足自由层矫顽场小于初始磁场且初始磁场小于钉扎层矫顽场，在该初始磁场下，所述自由层磁矩完全沿磁场负方向排列，并且不影响所述钉扎层磁矩的排列方向；(2)在负磁场方向对所述磁性隧道结施加步骤(1)得到的初始磁场，使所述钉扎层处于单畴状态；(3)对所述磁性隧道结施加正方向磁场，通过No overshot模式，以0～200奥斯特/秒的增加速率，将正方向磁场增大到写入磁场，得到某一多磁畴状态；(4)改变写入磁场的大小，并执行步骤(2)至步骤(3)，得到另一多磁畴状态；重复执行该步骤(4)直至获得十种多磁畴状态；(5)读出步骤(4)得到的十种多磁畴状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学，未经山东大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811060639.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
