[发明专利]近场热辐射系统及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811058260.9 申请日: 2018-09-11
公开(公告)号: CN109405625A 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 赵长颖;阚银辉 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: F28F13/00 分类号: F28F13/00;C01B32/19;C01B32/188;C01B32/194;C01B21/064;B82Y30/00
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 庄文莉
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种近场热辐射系统,包括高温物体(1)、低温物体(3)以及中继放大器(4);所述高温物体(1)的温度高于低温物体(3)的温度;所述中继放大器(4)位于所述高温物体(1)和低温物体(3)之间;所述高温物体(1)作为热源;所述低温物体(3)作为冷源。本发明提出的利用能够激发等离极化激元‑声子极化激元的二维材料复合异质结构构成的中继放大器,将之引入近场热辐射构成低温物体近场热辐射系统,能够更大程度地增强近场热辐射并远超普朗克黑体辐射定律。
搜索关键词: 低温物体 近场 高温物体 热辐射系统 中继放大器 极化激元 热辐射 黑体辐射定律 二维材料 异质结构 热源 冷源 声子 制备 复合 激发 引入
【主权项】:
1.一种近场热辐射系统,其特征在于,包括高温物体(1)、低温物体(3)以及中继放大器(4);所述高温物体(1)的温度高于低温物体(3)的温度;所述中继放大器(4)位于所述高温物体(1)和低温物体(3)之间;所述高温物体(1)作为热源;所述低温物体(3)作为冷源。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811058260.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top