[发明专利]一种改进型高线性度压控增益衰减器在审
| 申请号： | 201811055254.8 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN109391239A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李迪;费春龙;杨银堂;李娅妮;陈韵 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H03G3/30 | 分类号： | H03G3/30 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 刘黎明 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改进型高线性度压控增益衰减器，包括模拟参考电压产生器、电压跟踪与比较器阵列和CMOS晶体管衰减阵列。本发明在传统压控衰减器的核心电路基础上进行改进，采用CMOS晶体管衰减阵列代替传统的单个衰减晶体管，以实现大动态范围的衰减增益；采用电压跟踪与比较器阵列对CMOS晶体管衰减阵列进行控制，提高衰减增益的线性度；采用电阻分压方法为所有衰减晶体管提供衬底电压，保证晶体管衰减阵列正、负信号支路的对称性，提高衰减器的失真性能。 | ||
| 搜索关键词： | 衰减阵列 比较器阵列 衰减晶体管 电压跟踪 高线性度 增益衰减 改进型 衰减 模拟参考电压 压控衰减器 衬底电压 电阻分压 核心电路 失真性能 信号支路 产生器 传统的 大动态 衰减器 线性度 晶体管 改进 保证 | ||
【主权项】：
1.一种改进型高线性度压控增益衰减器，其特征在于：包括模拟参考电压产生器、电压跟踪与比较器阵列和CMOS晶体管衰减阵列；衰减增益控制电压信号x1由外部电路直接提供，根据衰减需要可以进行手动调节；电压跟踪与比较器阵列模块对来自于模拟参考电压产生器的输出参考电压信号x2和衰减增益控制电压信号x1进行比较，当衰减增益控制电压信号x1小于模拟参考电压产生器的输出参考电压信号x2时，电压跟踪与比较器阵列模块的输出信号x3等于衰减增益控制电压信号x1，实现对衰减增益控制电压信号的跟踪；当衰减增益控制电压信号x1大于模拟参考电压产生器的输出参考电压信号x2时，电压跟踪与比较器阵列的输出信号x3为系统高电平；CMOS晶体管衰减阵列在电压跟踪与比较器阵列输出信号x3的控制下对输入超声回波信号x4进行增益衰减，并产生增益衰减后的模拟信号x5。
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