[发明专利]嵌入式磁阻式随机存取存储器的制造方法有效
| 申请号： | 201811050528.4 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN110890461B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 洪庆文;李昆儒 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种嵌入式磁阻式随机存取存储器的制造方法，包括以下步骤。在基底结构上形成存储单元堆叠结构。存储单元堆叠结构包括第一电极、第二电极与磁性隧穿接面结构。形成覆盖存储单元堆叠结构的第一介电层。在第一介电层上形成金属氮化物层。在金属氮化物层上形成第二介电层。以金属氮化物层作为终止层，对第二介电层进行第一化学机械研磨制作工艺，以暴露出金属氮化物层。进行回蚀刻制作工艺，以完全移除金属氮化物层，且暴露出第一介电层。进行第二化学机械研磨制作工艺，以暴露出第二电极。上述制造方法可具有较佳的平坦化效果。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 磁阻 随机存取存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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