[发明专利]一种基于N型硅基底的简易脆性测试方法在审

专利信息
申请号: 201811043356.8 申请日: 2018-09-07
公开(公告)号: CN109283065A 公开(公告)日: 2019-01-29
发明(设计)人: 瞿辉;曹玉甲;汤佳丽 申请(专利权)人: 江苏顺风光电科技有限公司
主分类号: G01N3/20 分类号: G01N3/20
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 朱晓凯
地址: 213164 江苏省常州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种基于N型硅基底的脆性测试方法,包括如下步骤:(1)基于公知常识,推导出针对N型硅基底的新的脆性系数计算法;(2)构建静态测试平台;(3)根据推导公式,判断测试N型硅基底脆性大小。本发明其可以针对不同状态下的N型硅基底进行脆性量化测试,根据脆性值的大小从而准确找出硼扩散温度、时间、BSG厚度、磷扩温度、时间等工艺参数的范围。
搜索关键词: 脆性 基底 脆性测试 公知常识 静态测试 判断测试 推导公式 系数计算 硼扩散 推导 构建 简易 量化 测试
【主权项】:
1.一种基于N型硅基底的简易脆性测试方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)基于公知常识,推导出针对N型硅基底的新的脆性系数计算法:基于N型硅基底因外界承重的变化从而产生的形变,其脆性系数可按如下公式计算:式中:YMSC‑综合测定的杨氏模量;PRC‑综合测定的泊松比;YMBRIT‑均一化后的杨氏模量;PRBRIT‑均一化后的泊松比;BI‑脆性系数;基于在弹性工作范围内,在静态下进行弯曲试验,N型硅基底的弹性模量和杨氏模量计算公式相同,公式计算如下:式中:E‑弹性模量,f‑弯曲值,P‑加在晶硅上的载荷,L‑支点距离,J‑晶硅的惯性距;基于N型硅基底为同种晶硅材料,即泊松比为常数C;脆性系数BI与杨氏模量成正比关系,设正比系数为K,根据式(1)、(2)、(3)、(4)推出式(5)计算公式:;(2)构建静态测试平台:包括标准尺量工具、施力重物和两一阶台阶;所述标准尺量工具垂直固定;两一阶台阶平行、相对布置,并等距分布在标准尺量工具左右两侧;所述N型硅基底放置在两一阶台阶的台阶上,且N型硅基底的中轴线与标准尺量工具的中线对齐,测量时所述施力重物放置在N型硅基底的中轴线上;在弹性工作范围内,施力重物为P;依据测试平台,设两平台台阶支点距离为L,标准尺量工具测量的N型硅基底形变距离为ΔY;(3)根据推导公式,判断测试N型硅基底脆性大小:设定弯曲值f与N型硅基底形变距离成正比关系,即 f=kΔY,根据式(5)可得:;由于:式中,K、L、k和J都为常数,即KL3/48kJ为常数;故根据式(6)得出,在相同施力重物P下,形变距离ΔY越小则脆性系数BI越大,反之则N型硅基底脆性越小。
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