[发明专利]基于碳布负载的硫化镍-硫化钼异质纳米片阵列结构的柔性超级电容器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811025876.6 申请日: 2018-09-04
公开(公告)号: CN109065368B 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 符秀丽;官顺东;彭志坚 申请(专利权)人: 北京邮电大学
主分类号: H01G11/24 分类号: H01G11/24;H01G11/26;H01G11/28;H01G11/30;H01G11/40;H01G11/84
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地址: 100876 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种基于碳布负载的NiS‑MoS2异质纳米片阵列结构的柔性超级电容器及其制备方法,属于新能源材料及其器件制备技术领域。所述柔性超级电容器采用在三维碳布上直接生长的高纯度、高密度、高取向性的碳布负载的NiS‑MoS2异质纳米片阵列结构为阳极材料,活性炭包覆的碳布为阴极材料,PVA/KOH凝胶分别为隔膜和电解质,共同组装得到。所述阳极纯度高、密度大、形貌整齐,且生长条件严格可控、设备和工艺简单、成本低廉、电容量高、充放电稳定性好;所述阴极材料导电性优良、双层电容容量大;电容器制备过程简单、经济环保、无需后处理。本发明提出的超级电容器重量轻、容量大、循环充放电稳定性好,同时具有良好的柔性,可用于可穿戴电子器件的供电设备。
搜索关键词: 基于 负载 硫化 钼异质 纳米 阵列 结构 柔性 超级 电容器 及其 制备 方法
【主权项】:
1.基于碳布负载的NiS‑MoS2异质纳米片阵列结构的柔性超级电容器,其特征在于,所述柔性超级电容器采用在三维碳布上直接生长的高纯度、高密度、高取向性的NiS‑MoS2异质纳米片阵列结构作为阳极材料,活性炭包覆的碳布作为阴极材料;所述NiS‑MoS2异质纳米片阵列结构阳极材料的电容量高、充放电稳定性好,所述活性炭包覆的碳布阴极材料导电性优良、双层电容容量大,配合PVA/KOH凝胶分别作为隔膜和电解质,共同组装得到柔性的高性能超级电容器。
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