[发明专利]基于碳布负载的硫化镍-硫化钼异质纳米片阵列结构的柔性超级电容器及其制备方法有效
申请号: | 201811025876.6 | 申请日: | 2018-09-04 |
公开(公告)号: | CN109065368B | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 符秀丽;官顺东;彭志坚 | 申请(专利权)人: | 北京邮电大学 |
主分类号: | H01G11/24 | 分类号: | H01G11/24;H01G11/26;H01G11/28;H01G11/30;H01G11/40;H01G11/84 |
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地址: | 100876 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
本发明涉及一种基于碳布负载的NiS‑MoS |
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搜索关键词: | 基于 负载 硫化 钼异质 纳米 阵列 结构 柔性 超级 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.基于碳布负载的NiS‑MoS2异质纳米片阵列结构的柔性超级电容器,其特征在于,所述柔性超级电容器采用在三维碳布上直接生长的高纯度、高密度、高取向性的NiS‑MoS2异质纳米片阵列结构作为阳极材料,活性炭包覆的碳布作为阴极材料;所述NiS‑MoS2异质纳米片阵列结构阳极材料的电容量高、充放电稳定性好,所述活性炭包覆的碳布阴极材料导电性优良、双层电容容量大,配合PVA/KOH凝胶分别作为隔膜和电解质,共同组装得到柔性的高性能超级电容器。
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