[发明专利]一种基于结构复用的大频比共口径天线

摘要

本发明属于共口径天线的技术领域，具体提供一种基于结构复用的大频比共口径天线，用以克服现有大频比天线设计当中不同频段天线阵面分离、口径利用效率低、天线间隔离效果不明显的问题。本发明利用基片集成波导的低剖面及金属化的封闭结构，设计天线辐射结构既作为SIW缝隙阵天线，又作为贴片天线；再分别利用波导馈电结构馈送高频信号，微带馈电结构馈送低频信号，实现同一辐射结构下的大频比双频率辐射；同时，利用基片集成波导对低频信号的截止特性以及光子带隙结构对高频信号的带阻作用，使得高频信号与低频信号在高口径利用率高的前提下仍能达到高隔离度。

主权项

1.一种基于结构复用的大频比共口径天线，包括天线辐射结构1、波导馈电结构2及微带馈电结构3，其特征在于，所述天线辐射结构包括从下往上依次层叠的下介质层17、金属地16、中介质层15、下金属覆铜层14、上介质层13及上金属覆铜层11，所述上金属覆铜层11上开设SIW缝隙阵，并且上金属覆铜层11与下金属覆铜层14通过贯穿上介质层13的金属化过孔12连接、共同构成辐射天线；所述微带馈电结构3设置于下介质层17的下方，通过对应开设于金属地16上的耦合缝18耦合激励辐射天线；所述波导馈电结构2由波导口21和与之连接的波导转SIW过渡结构构成，所述波导转SIW过渡结构由贯穿中介质层15与下介质层17的金属化通孔22构成，所述金属化通孔22将下金属覆铜层14、金属地16连接在一起，并且下金属覆铜层14与金属地16上对应开设窗口，所述波导口设置于下介质层17下方。