[发明专利]灵敏放大器有效
申请号: | 201810992772.6 | 申请日: | 2018-08-29 |
公开(公告)号: | CN109119119B | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 曹亚历;邵博闻 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种灵敏放大器,由十二个NMOS晶体管、六个PMOS晶体管和一个反相器组成,CLK为时钟信号,CLKD为CLK经过一级缓冲器缓冲后得到的时钟信号,采用差分输入,差分输出,能够使输出数据稳定;第一NMOS晶体管~第六NMOS晶体管,第一PMOS晶体管~第四PMOS晶体管组成预充电前端放大器,节点L1、L2作为预充电前端放大器的输出端,该预充电前端放大器在时钟信号CLK上升沿处采样差分输入信号;第七NMOS晶体管~第十二NMOS晶体管、第五PMOS晶体管~第六PMOS晶体管组成RS触发器,该RS触发器由时钟信号CLK控制。本发明反应灵敏,速度快,能稳定输出正确信号。 | ||
搜索关键词: | 灵敏 放大器 | ||
【主权项】:
1.一种灵敏放大器,其特征在于:由十二个NMOS晶体管、六个PMOS晶体管和一个缓冲器组成,CLK为时钟信号,CLKD为CLK经过一级所述缓冲器缓冲后得到的时钟信号;第一PMOS晶体管~第六PMOS晶体管的源极与电源电压端VDD相连接;第五PMOS晶体管的漏极、第六PMOS晶体管的栅极与第九NMOS晶体管的漏极、第十NMOS晶体管的漏极和第十一NMOS晶体管的栅极相连接,其连接的节点作为差分输出端OUT_端;第六PMOS晶体管的漏极、第五PMOS晶体管的栅极与第十一NMOS晶体管的漏极、第十二NMOS晶体管的漏极和第十NMOS晶体管的栅极相连接,其连接的节点作为差分输出端OUT;第九NMOS晶体管的栅极和第十二NMOS晶体管的栅极输入时钟信号CLKD;第九NMOS晶体管的源极与第七NMOS晶体管的漏极相连接,第十二NMOS晶体管的源极与第八NMOS晶体管的漏极相连接,第七NMOS晶体管的源极、第八NMOS晶体管的源极、第十NMOS晶体管的源极和第十一NMOS晶体管的源极接地;第一PMOS晶体管的漏极、第二PMOS晶体管的漏极、第三PMOS晶体管的栅极和第五NMOS晶体管的漏极、第六NMOS晶体管的栅极、第七NMOS晶体管的栅极相连接,其连接的节点记为L2;第三PMOS晶体管的漏极、第四PMOS晶体管的漏极、第二PMOS晶体管的栅极和第六NMOS晶体管的漏极、第五NMOS晶体管的栅极、第八NMOS晶体管的栅极相连接,其连接的节点记为L1;第一PMOS晶体管的栅极和第四PMOS晶体管的栅极输入时钟信号CLK;第五NMOS晶体管的源极与第四NMOS晶体管的源极、第二NMOS晶体管的漏极相连接,第六NMOS晶体管的源极与第三NMOS晶体管的漏极、第四NMOS晶体管的漏极相连接;第二NMOS晶体管的源极、第三NMOS晶体管的源极和第一NMOS晶体管的漏极相连接,第一NMOS晶体管的源极接地;第四NMOS晶体管的栅极与电源电压端VDD相连接,第一NMOS晶体管的栅极输入时钟信号CLK,第二NMOS晶体管NM2的栅极作为差分输入端IN,第三NMOS晶体管NM3的栅极作为差分输入端IN_端。
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