[发明专利]阈值基准电流产生电路有效
| 申请号： | 201810984613.1 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109062306B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 袁志勇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阈值基准电流产生电路，第一～第三镜像电流源的一端和第一PMOS晶体管的衬底与电源电压端VPWR相连接，第一镜像电流源的另一端与第一PMOS晶体管的源极和第一NMOS晶体管的栅极相连接，其连接的节点记为VIN；第一NMOS晶体管的漏极与第二镜像电流源的另一端相连接，其源极与第一电阻的一端和第二NMOS晶体管的栅极相连接，其连接的节点记为VRES；第三镜像电流源的另一端与第二NMOS晶体管的漏极和第一PMOS晶体管的栅极相连接；第一PMOS晶体管的漏极、第一电阻的另一端和第一NMOS晶体管的衬底、以及第二NMOS晶体管的源极和衬底接地。本发明能够降低反相放大器转换特性，随电源电压变化。 | ||
| 搜索关键词： | 阈值 基准 电流 产生 电路 | ||
【主权项】：
1.一种阈值基准电流产生电路，其特征在于：由三个镜像电流源、一个PMOS晶体管、两个NMOS晶体管和一个电阻组成；第一～第三镜像电流源的一端与电源电压端VPWR相连接，第一镜像电流源的另一端与第一PMOS晶体管的源极和第一NMOS晶体管的栅极相连接，其连接的节点记为VIN，第一PMOS晶体管的漏极接地，其衬底与电源电压端VPWR相连接；第二镜像电流源的另一端与第一NMOS晶体管的漏极相连接，第一NMOS晶体管的源极与第一电阻的一端和第二NMOS晶体管的栅极相连接，其连接的节点记为VRES；第一电阻的另一端和第一NMOS晶体管的衬底接地；第三镜像电流源的另一端与第二NMOS晶体管的漏极和第一PMOS晶体管的栅极相连接，第二NMOS晶体管的源极和衬底接地。
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