[发明专利]一种亚纳秒高压脉冲产生电路在审
| 申请号： | 201810962398.5 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109004918A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;高吴昊;周琪钧;谯彬;邓操;夏云;刘超 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03K3/57 | 分类号： | H03K3/57 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种亚纳秒高压脉冲产生电路，其特点是：储能电感L1通过节点2与半导体开关S1串联，储能电感L1的上端接电源VCC，半导体开关S1下端接地GND；电容C1通过节点3与DSRD器件D1串联之后与半导体开关S1并联，其中DSRD器件D1的阳极端接地GND；电容C2通过节点4与负载电阻RL串联之后与半导体开关S1并联，其中电容C2的另一端与节点2相连，负载电阻RL的另一端接地GND；节点1为输入节点，输入脉冲信号，与半导体开关S1的输入端相连；节点4为输出节点，输出亚纳秒电压脉冲。相比于常规的基于DSRD的亚纳秒高压脉冲电路，在反向泵浦阶段，本发明的电路中DSRD器件上的电流下降率更高，从而负载电阻RL上电流上升率更高，产生的电压脉冲前沿时间更短。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体开关 亚纳秒高压脉冲 负载电阻 接地 电容 串联 产生电路 储能电感 电压脉冲 并联 电路 电流上升 输出节点 输入节点 输入脉冲 电源VCC 常规的 输入端 下降率 阳极端 上端 泵浦 下端 输出 | ||
【主权项】：
1.一种亚纳秒高压脉冲产生电路，包括储能电感L1、半导体开关S1、第一电容C1、第二电容C2、DSRD器件D1和负载电阻RL；其中，储能电感L1的一端接电源VCC，另一端接半导体开关S1的一端，半导体开关S1的另一端接地，半导体开关S1的控制端接外部脉冲信号；第一电容C1的一端接DSRD器件D1的阴极，DSRD器件D1阳极端接地GND；第一电容的另一端接储能电感L1和半导体开关S1的连接点；第二电容C2的一端接储能电感L1和半导体开关S1的连接点，第二电容C2的另一端通过负载电阻RL后接地GND；第二电容C2与储能电感L1的连接点为输出节点，输出亚纳秒电压脉冲。
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