[发明专利]电子设备有效
| 申请号： | 201810952937.7 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109473544B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 郑求烈;林钟久;金亮坤;李哉衡 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种电子设备可以包括半导体存储器，并且所述半导体存储器可以包括：具有可变磁化方向的自由层；具有固定磁化方向的钉扎层；以及介于自由层与钉扎层之间的隧道阻挡层，其中，自由层可以包括：第一子层，其具有0.1或更小的阻尼常数；第二子层，其具有范围为1.0×10 |
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| 搜索关键词： | 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种包括半导体存储器的电子设备，其中，所述半导体存储器包括：自由层，其具有可变磁化方向；钉扎层，其具有固定磁化方向；以及隧道阻挡层，其介于所述自由层与所述钉扎层之间，其中，所述自由层包括：第一子层，其具有0.1或更小的阻尼常数；第二子层，其具有范围为1.0×104至1.0×108erg/cm3的垂直磁各向异性能量密度；以及插入层，其介所述第一子层与所述第二子层之间。
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