[发明专利]一种硅固溶强化VNbMoTaSi高熵合金及其制备方法

摘要

本发明涉及一种硅固溶强化VNbMoTaSi高熵合金及其制备方法，属于金属材料及其制备领域。该种合金成分的原子百分比表达式为VaNbbMocTadSie，其中20≤a≤35，20≤b≤35，20≤c≤35，20≤d≤35，0.01≤e≤3。所需原料为纯金属，Si以硅单质形式加入。将原料去除氧化皮后，放入真空电弧炉进行熔炼，熔炼4～6次后，可获得单相BCC机构的固溶体合金。本发明将Si固溶到VNbMoTa晶格中，显著地提高了高熵合金的室温和高温强度。尤其是(VNbMoTa)97.5Si2.5在1200℃下仍具有超过1Ga的屈服强度，优于目前报道的其他体系的难熔高熵合金。

主权项

1.一种硅固溶强化VNbMoTaSi高熵合金，其特征在于：所述合金成分的原子百分比表达式为VaNbbMocTadSie，其中20≤a≤35，20≤b≤35，20≤c≤35，20≤d≤35，0.01≤e≤3，且a+b+c+d+e＝100。