[发明专利]一种高稳定性的硫系微球片上耦合装置在审
| 申请号： | 201810877787.8 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109031520A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 熊松松 | 申请（专利权）人： | 广州米德红外科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/26 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 江裕强 |
| 地址： | 510663 广东省广州市高新技术产业开发区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高稳定性的硫系微球片上耦合装置，包括衬底层、下包层、脊型光波导、介质层、第一聚合物支撑层、第二聚合物支撑层和微球，所述衬底层上表面与下包层接触连接，所述下包层上表面与脊型光波导连接，所述脊型光波导上表面与介质层接触连接，所述介质层左右两侧分别设有第一聚合物支撑层和第二聚合物支撑层，所述第一聚合物支撑层和第二聚合物支撑层放置在衬底层上，两个支撑层之间放置有微球，并与微球接触；本发明的一种高稳定性的硫系微球片上耦合装置，与现有的CMOS工艺兼容，具有集成度高，稳定性好，不易受外界空气扰动的影响的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物支撑层 微球 脊型光波导 高稳定性 耦合装置 衬底层 介质层 上表面 下包层 硫系 接触连接 外界空气 左右两侧 集成度 支撑层 扰动 兼容 | ||
【主权项】：
1.一种高稳定性的硫系微球片上耦合装置，其特征在于：包括衬底层（1）、下包层（2）、脊型光波导（3）、介质层（4）、第一聚合物支撑层（5）、第二聚合物支撑层（6）和微球（7），所述衬底层（1）上表面与下包层（2）接触连接，所述下包层（2）上表面与脊型光波导（3）连接，所述脊型光波导（3）上表面与介质层（4）接触连接，所述介质层（4）左右两侧分别设有第一聚合物支撑层（5）和第二聚合物支撑层（6），所述第一聚合物支撑层（5）和第二聚合物支撑层（6）放置在衬底层（1）上，两个支撑层之间放置有微球（7），并与微球（7）接触。
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