[发明专利]基于BSIM4模型的MOS器件子电路温度模型及建模方法有效
| 申请号： | 201810840264.6 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109117528B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 顾经纶;彭兴伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 栾美洁 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于BSIM4模型的MOS器件子电路温度模型及建模方法，包括：步骤1，流片测试得到实测数据；步骤2，选择目标MOS器件和待调准的电学特性参数；步骤3，进行拟合，建立MOS器件的BSIM4直流温度模型；步骤4，在经过拟合的BSIM4直流温度模型基础上，针对目标MOS器件和待调准的电学特性参数涉及的模型参数分别建立子电路温度模型；步骤5，对子电路温度模型分别进行曲线拟合，如果拟合结果与实测数据一致，则进入步骤6，否则调整子电路温度模型的相应参数，并重复该步骤；步骤6，建模结束。本发明在BSIM4模型基础上增加子电路温度模型，使MOS器件的直流温度模型更准确地反映实测数据，克服了原有MOS器件的BSIM4直流温度模型不能同时调准Idlin和Idsat的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 bsim4 模型 mos 器件 电路 温度 建模 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于BSIM4模型的MOS器件子电路温度模型的建模方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，流片测试得到建模的实测数据；步骤2，选择目标MOS器件和待调准的电学特性参数；步骤3，进行拟合，建立MOS器件的BSIM4直流温度模型；步骤4，在经过拟合的BSIM4直流温度模型基础上，针对目标MOS器件和待调准的电学特性参数所涉及的模型参数分别建立子电路温度模型；步骤5，利用子电路温度模型对目标MOS器件分别进行曲线拟合，如果拟合结果与器件的实测数据一致，则进入步骤6，否则调整子电路温度模型的相应参数，并重复该步骤；步骤6，建模结束，得到最终的子电路温度模型。
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