[发明专利]一种用于CMOS PA的自适应偏置电路有效
| 申请号： | 201810828346.9 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109150117B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 艾君;杨利;郑金汪;白晓鹏;鲍东山 | 申请（专利权）人： | 北京新岸线移动通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32;H03F3/193;H03F3/21 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种用于CMOS PA的自适应偏置电路，包括堆叠连接的PMOS管和NMOS管、以及滤波电路，其中，PMOS管和NMOS管均为二极管连接形式；射频输入信号经过隔直电容C1后进入功率放大器PA和偏置电路；PMOS和NMOS管连接处的输出电压Vg经过滤波电路后输出进入功率放大器PA。采用本发明提供的自适应偏置电路，可以使CMOS PA在大信号时gate bias电压增加，以便使PA工作于接近class A的状态，从而提供更好的线性度。同时，适当调整该电路也可以使PA在大信号时的gate电压降低，这种效果正好可以用于模拟预失真，通过模拟预失真可进一步实现更好的线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 cmos pa 自适应 偏置 电路 | ||
【主权项】：
1.一种用于CMOS PA的自适应偏置电路，其特征在于，包括堆叠连接的PMOS管和NMOS管、以及滤波电路，其中，PMOS管和NMOS管均为二极管连接形式；射频输入信号经过隔直电容C1后进入功率放大器PA和偏置电路；PMOS和NMOS管连接处的输出电压Vg经过滤波电路后输出进入功率放大器PA。
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