[发明专利]二维g-C3N4/WO3/碳布复合电极及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201810823070.5 | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN109286021A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王涛;冯亚亚;范晓莉;高斌;龚浩;郭虎;李晶晶;黄现礼;何建平 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01M4/86 | 分类号： | H01M4/86;H01M4/90;H01M4/88;H01M12/08;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 李瑶 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二维g‑C3N4/WO3/碳布复合电极，包括长有WO3纳米线的碳布和覆盖在WO3纳米线表面的二维g‑C3N4纳米片。本发明还公开了上述二维g‑C3N4/WO3/碳布复合电极的制备方法，包括：1)通过水热法制备长有WO3纳米线的碳布；2)向长有WO3纳米线的碳布表面涂覆二维g‑C3N4纳米片的分散液，然后在空气气氛中热处理，得到二维g‑C3N4/WO3/碳布复合电极。本发明的二维g‑C3N4/WO3/碳布复合电极具有自支撑结构，不仅性能稳定，还具备可弯曲性，光电转化效率高，在光催化降解、光辅助储能电池等领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 碳布 二维 复合电极 纳米线 纳米片 制备方法和应用 光电转化效率 光催化降解 纳米线表面 自支撑结构 热处理 表面涂覆 储能电池 可弯曲性 空气气氛 水热法制 分散液 光辅助 制备 覆盖 应用 | ||
【主权项】：
1.一种二维g‑C3N4/WO3/碳布复合电极，其特征在于，该复合电极包括长有WO3纳米线的碳布和覆盖在所述WO3纳米线表面的二维g‑C3N4纳米片。
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