[发明专利]一种大葱离体雌核发育诱导单倍体植株的方法在审
| 申请号： | 201810820069.7 | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN108834899A | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;高莉敏;王清华;窦维维 | 申请（专利权）人： | 山东省农业科学院蔬菜花卉研究所 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人： | 韩百翠 |
| 地址： | 250100 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大葱离体雌核发育诱导单倍体植株的方法。该方法选取直径为2～2.5mm的未开放花蕾作为材料，移至4℃的冰箱中进行3d的低温预处理，处理结束后将子房接种到诱导培养基中(MS培养基中添加1.0mg·L‑12,4‑D和1.5mg·L‑16‑BA)中进一步诱导成为胚状体，其雌核发育胚诱导率可达10％。由单倍体加倍获得的双单倍体是重要性状的遗传分析、分子标记及数量性状研究的理想材料，此研究为大葱遗传育种奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 大葱 雌核发育诱导 单倍体植株 离体 子房 低温预处理 诱导培养基 处理结束 雌核发育 分子标记 理想材料 数量性状 双单倍体 遗传分析 遗传育种 重要性状 花蕾 单倍体 胚诱导 胚状体 接种 诱导 冰箱 研究 开放 | ||
【主权项】：
1.一种大葱离体雌核发育诱导单倍体植株的方法，其特征是，包括以下步骤：1)从开花前2‑3d的大葱花蕾中选取直径为2.0～2.5mm的未开放花蕾作为材料；2)将材料移至4℃的冰箱中，进行3d的低温预处理，之后剪去花柄并消毒，然后接种在单倍体诱导培养基中于培养室内培养；单倍体诱导培养基为：1.0mg·L‑1 2,4‑D+1.5mg·L‑16‑BA的MS培养基；3)植株再生：花蕾在单倍体诱导培养基中诱导成为胚状体，待芽生长至大于1cm后转入含有30g·L‑1蔗糖的1/2MS培养基中发育成完整植株。
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