[发明专利]一种Ka波段双面铁氧体薄膜微带线环行器有效
申请号: | 201810814873.4 | 申请日: | 2018-07-23 |
公开(公告)号: | CN109066032B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 郑辉;张飞;郑鹏;郑梁 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | H01P1/387 | 分类号: | H01P1/387 |
代理公司: | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人: | 雷仕荣 |
地址: | 310018*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种Ka波段双面铁氧体薄膜微带线环行器,属于微波铁氧体器件领域。该环行器包括非磁性介质基片、基于镀膜工艺在所述介质基片的两面生长的铁氧体薄膜层、以及在其中一面的铁氧体薄膜层上形成的阻抗匹配微带线,另外一面形成的金属接地板。本发明在单面铁氧体薄膜环行器的基础上,改变环行器的结构形式,即在介质基片上下两面镀上铁氧体薄膜,这样不仅缓解了环行器对单层铁氧体厚膜的需求与单层铁氧体厚膜制作难度大之间的矛盾,同时大大提升了环行器的性能。实验结果表明,适当厚度的双层铁氧体薄膜结构的环行器在经过阻抗匹配优化后,其带宽、插入损耗、隔离度、回波损耗等参数相比传统结构的单层铁氧体薄膜环行器都有明显的提升。 | ||
搜索关键词: | 一种 ka 波段 双面 铁氧体 薄膜 微带 环行器 | ||
【主权项】:
1.一种Ka波段双面铁氧体薄膜微带线环行器,其特征在于,包括非磁性介质基片、基于镀膜工艺在所述介质基片的两面生长的铁氧体薄膜层、以及在其中一面的铁氧体薄膜层上形成的阻抗匹配微带线并在另外一面的铁氧体薄膜层上形成的金属接地板。
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