[发明专利]一种基于微带结构的宽带Butler矩阵在审
| 申请号： | 201810800998.1 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109167172A | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 王晓华;李云飞;万晔 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01Q3/40 | 分类号： | H01Q3/40 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 邹裕蓉 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于微带结构的宽带Butler矩阵，属于微波无源器件技术领域。本发明包括从上而下依次排布的三层结构：金属覆铜上层、介质层、金属覆铜下层；金属覆铜上层包括四个宽带四线耦合器和两个短路加载移相器；四个宽带四线耦合器依次间隔呈中心旋转对称排布，两个短路加载移相器加载于宽带四线耦合器靠近中心的末端。本发明使用两种宽带四线耦合器与宽带四分之一波长短路加载移相器相结合，使该微带结构巴特勒矩阵具有了宽带效果，在中心频点2.215GHz处相对带宽达到48.3％，同时微带结构也具有结构简单、易于加工和成本低的优点，拓展了该Butler矩阵在多波束天线系统中的应用空间。 | ||
| 搜索关键词： | 宽带 微带结构 耦合器 加载 四线 短路 移相器 覆铜 金属 多波束天线系统 上层 四分之一波长 微波无源器件 巴特勒矩阵 从上而下 对称排布 三层结构 应用空间 中心频点 中心旋转 介质层 排布 下层 带宽 拓展 加工 | ||
【主权项】：
1.一种基于微带结构的宽带Butler矩阵，其特征在于，包括从上而下依次排布的三层结构：金属覆铜上层(101)、介质层(102)、金属覆铜下层(103)；金属覆铜上层(101)包括四个宽带四线耦合器和两个短路加载移相器；其中第一宽带四线耦合器(201)和第三宽带四线耦合器结构相同，第二宽带四线耦合器(202)与第四宽带四线耦合器结构相同；第一宽带四线耦合器(201)、第二宽带四线耦合器(202)、第三宽带四线耦合器、第四宽带四线耦合器依次间隔呈中心旋转对称排布；第一宽带四线耦合器(201)由两个结构相同的第一分支线定向耦合器对称级联而成；第一分支线定向耦合器包括第一输入输出端连接线和与其相连接的第一输入端连接线、第一输出端连接线；第一输入输出端连接线为两组对称的弧线，第一输入端连接线和第一输出端连接线的长度与宽度都不相同；第二宽带四线耦合器(202)由两个结构相同的第二分支线定向耦合器对称级联而成；第二分支线定向耦合器包括第二输入输出端连接线和与其相连接的第二输入端连接线、第二输出端连接线；第二输入输出端连接线为两组对称的弧线，第二输入端连接线和第二输出端连接线的长度相同但宽度不相同；第一短路加载移相器(203)包括第一参考微带线(331)、第一短路加载微带线(332)和第一微带线(333)；第一参考微带线(331)、第一微带线(333)的一端与第三宽带四线耦合器相连，另一端分别与第二宽带四线耦合器(202)、第四宽带四线耦合器的端口呈90°弯曲相连，弯曲连接处外侧倒直角；第二短路加载移相器包括第二参考微带线、第二短路加载微带线和第二微带线；第二参考微带线、第二微带线的一端与第一宽带四线耦合器相连，另一端分别与第二宽带四线耦合器、第四宽带四线耦合器的端口呈90°弯曲相连，弯曲连接处外侧倒直角；金属覆铜下层的铜覆盖面积与介质层下表面积相同。
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