[发明专利]高温下高储能密度和高充放电效率的电容器薄膜制备方法在审
| 申请号： | 201810788742.3 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN108962592A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 李琦;何金良;成桑;周垚 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01G4/06 | 分类号： | H01G4/06;H01G4/08;H01G4/10;H01G4/18;H01G4/33;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 戴凤仪 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高温下高储能密度和高充放电效率的电容器薄膜制备方法，通过真空射频磁控溅射技术在聚合物电容器薄膜表面先后沉积高介电常数层和高绝缘性能薄层。利用高介电常数层具有高介电常数的特点，以提高薄膜的等效介电常数，从而提高其能量密度。利用高绝缘性能薄层的宽能带隙，将其作为电荷阻挡层，从而有效抑制高温高电场作用下由于电极处的电荷注入而形成的泄漏电流，进而提高聚合物电容器薄膜在高温高电场作用下的充放电效率，达到同时提高聚合物电容器薄膜在高温下的储能密度和充放电效率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 充放电效率 聚合物电容器 薄膜 高介电常数层 电容器薄膜 高绝缘性能 高储能 高电场 薄层 制备 磁控溅射技术 等效介电常数 电荷阻挡层 高介电常数 薄膜表面 宽能带隙 泄漏电流 有效抑制 真空射频 电荷 电极 储能 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种高温下高储能密度和高充放电效率的电容器薄膜制备方法，其特征在于：通过真空射频磁控溅射技术在聚合物电容器薄膜表面先后沉积高介电常数层和高绝缘性能薄层；利用高介电常数层具有高介电常数的特点以提高薄膜的等效介电常数，从而提高其能量密度。利用高绝缘性能薄层的宽能带隙，将其作为电荷阻挡层，从而有效抑制高温高电场作用下由于电极处的电荷注入而形成的泄漏电流，进而提高聚合物电容器薄膜在高温高电场作用下的充放电效率；最终达到同时提高聚合物电容器薄膜在高温下能量密度和充放电效率的目的。
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