[发明专利]一种基于等离激元纳米结构的微流控芯片流量光控制方法有效

专利信息
申请号: 201810776829.9 申请日: 2018-07-13
公开(公告)号: CN109092378B 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 任亚涛;齐宏;陈琴;李杨;阮立明 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: B01L3/00 分类号: B01L3/00
代理公司: 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 代理人: 岳昕
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种基于等离激元纳米结构的微流控芯片流量光控制方法,本发明涉及微流控芯片流量光控制方法。本发明的目的是为了解决现有微流控设备操作复杂,设备昂贵,且便携性较差以及光控微流体技术需要向微流体中加入其他介质,或使用特殊的微流道材料等,极大限制了微流控技术的应用范围的问题。过程为:一、计算得到不同尺寸,不同间隔以及不同材料的纳米棒阵列在不同入射激光强度和偏振方向下纳米棒阵列吸收截面,纳米棒阵列所在微流道内流体的温度场和流场分布情况;二、选取符合要求的纳米阵列;三、使用特性波长的激光照射选取的符合要求的纳米棒阵列,通过调节特性波长的激光强度和偏振方向调控微流道内流体的微流动。本发明用于微流控领域。
搜索关键词: 一种 基于 离激元 纳米 结构 微流控 芯片 流量 控制 方法
【主权项】:
1.一种基于等离激元纳米结构的微流控芯片流量光控制方法,其特征在于:所述方法具体过程为:步骤一、计算得到不同尺寸,不同间隔以及不同材料的纳米棒阵列在不同入射激光强度和偏振方向下纳米棒阵列吸收截面,纳米棒阵列所在微流道内流体的温度场和流场分布情况;步骤二、根据步骤一的计算结果选取符合要求的纳米阵列;具体过程为:(1)选取在不同入射激光强度和偏振方向下,同一个纳米棒阵列吸收截面的差值变化最大的纳米棒阵列;(2)在满足(1)条件基础上,选取相同入射激光强度和偏振方向下,纳米棒阵列所在微流道内流体的温度升高最高的纳米棒阵列;若温度升高最高的纳米棒阵列为1个,则温度升高最高的纳米棒阵列为符合要求的纳米阵列;若温度升高最高的纳米棒阵列大于1个,则执行(3);(3)在满足(2)条件基础上,选取纳米棒阵列所在微流道内流体流速最大的纳米棒阵列作为符合要求的纳米阵列;步骤三、使用特性波长的激光照射步骤二选取的符合要求的纳米棒阵列,通过调节特性波长的激光强度和偏振方向调控微流道内流体的微流动。
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