[发明专利]铁电存储器件有效

专利信息
申请号: 201810768515.4 申请日: 2018-07-13
公开(公告)号: CN109256388B 公开(公告)日: 2023-05-30
发明(设计)人: 刘香根;金重植 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H10B53/30 分类号: H10B53/30
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 许伟群;李少丹
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种铁电存储器件,包括:衬底、设置在衬底上的界面绝缘层、设置在界面绝缘层上的再结合诱导层、设置在再结合诱导层上的铁电层以及设置在铁电层上的栅电极。再结合诱导层包括包含用作多数载流子的空穴的材料。
搜索关键词: 存储 器件
【主权项】:
1.一种铁电存储器件,包括:衬底;界面绝缘层,其设置在所述衬底上;再结合诱导层,其设置在所述界面绝缘层上;铁电层,其设置在所述再结合诱导层上;以及栅电极,其设置在所述铁电层上,其中,所述再结合诱导层包括包含用作多数载流子的空穴的材料。
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