[发明专利]铁电存储器件有效
申请号: | 201810768515.4 | 申请日: | 2018-07-13 |
公开(公告)号: | CN109256388B | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 刘香根;金重植 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H10B53/30 | 分类号: | H10B53/30 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;李少丹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种铁电存储器件,包括:衬底、设置在衬底上的界面绝缘层、设置在界面绝缘层上的再结合诱导层、设置在再结合诱导层上的铁电层以及设置在铁电层上的栅电极。再结合诱导层包括包含用作多数载流子的空穴的材料。 | ||
搜索关键词: | 存储 器件 | ||
【主权项】:
1.一种铁电存储器件,包括:衬底;界面绝缘层,其设置在所述衬底上;再结合诱导层,其设置在所述界面绝缘层上;铁电层,其设置在所述再结合诱导层上;以及栅电极,其设置在所述铁电层上,其中,所述再结合诱导层包括包含用作多数载流子的空穴的材料。
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