[发明专利]一种光电三极管抗饱和电路

摘要

一种光电三极管抗饱和电路包括光电三极管Q0，电流采样模块、低通滤波模块、基极电流调整模块和电阻R0；所述光电三极管Q0的发射极连接电流采样模块，基极连接基极电流调整模块，电流采样模块连接低通滤波模块与电阻R0，低通滤波模块连接基极电流调整模块，所述电流采样模块和基极电流调整模块接电源，所述光电三极管Q0、低通滤波模块、基极电流调整模块和电阻R0均接地。本发明的光电三极管基极受控，可避免三级管进入饱和区，在强光环境下应用也能保持较高灵敏度。并且由于三极管由较高的内部增益，可以CMOS工艺兼容的方法实现，整合到红外接收处理芯片中，简化接收头封装物料成本和工艺流程。

主权项

1.一种光电三极管抗饱和电路，其特征在于：包括光电三级管Q0，电流采样模块、低通滤波模块、基极电流调整模块和电阻R0；所述光电三级管Q0的发射极连接电流采样模块，基极连接基极电流调整模块，电流采样模块连接低通滤波模块与电阻R0，低通滤波模块连接基极电流调整模块，所述电流采样模块和基极电流调整模块接电源，所述光电三级管Q0、低通滤波模块、基极电流调整模块和电阻R0均接地；所述电流采样模块包括两个MOS管M0、M1，所述MOS管M0、M1的源极均接电源，两者栅极相连，所述MOS管M0的漏极与栅极短接，且连接所述光电三级管Q0的发射极，所述MOS管M1的漏极连接电阻R0；所述低通滤波模块包括跨导放大器I3和电容I2，所述跨导放大器I3的同相输入端连接在电流采样模块和电阻R0之间，反相输入端与输出端短接后通过电容I2接地；所述基极电路调整模块包括MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4和MOS管M5，所述MOS管M2和MOS管M3的源极均接电源，两者栅极相连，所述MOS管M2的漏极接光电三级管Q0的基极，所述MOS管M3的漏极连接栅极和MOS管M4的漏极，所述MOS管M4的栅极连接MOS管M5的栅极，所述MOS管M5的漏极连接栅极和跨导放大器I3的输出端，源极与MOS管M4的源极均接地。