[发明专利]包括复制晶体管的SRAM读复用器有效
| 申请号： | 201810759063.3 | 申请日： | 2018-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN109308926B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | K·J·多里;A·帕沙克;S·库马尔 | 申请（专利权）人： | 意法半导体国际有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张昊 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及包括复制晶体管的SRAM读复用器。第一晶体管具有耦合至第二位线的第一导电端子、耦合至位线节点的第二导电端子以及通过第二控制信号偏置的控制端子。第二晶体管具有耦合至第二互补位线的第一导电端子、耦合至互补位线节点的第二导电端子和通过第二控制信号偏置的控制端子。第一复制晶体管具有耦合至第二位线的第一导电端子、耦合至互补位线节点的第二导电端子和偏置的控制端子，使得第一复制晶体管截止。第二复制晶体管具有耦合至第二互补位线的第一导电端子、耦合至位线节点的第二导电端子和被偏置的控制端子，使得第二复制晶体管截止。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 复制 晶体管 sram 读复用器 | ||
【主权项】：
1.一种电子设备，包括：第一列，被配置为可通过第一控制信号选择；第二列，包括：第二存储单元；第二位线，与所述第二存储单元相关联；第一晶体管，具有耦合至所述第二位线的第一导电端子、耦合至位线节点的第二导电端子以及被第二控制信号偏置的控制端子；以及第二晶体管，具有耦合至第二互补位线的第一导电端子、耦合至互补位线节点的第二导电端子以及被所述第二控制信号偏置的控制端子；第一复制晶体管，其是所述第一晶体管的复制品，并且具有耦合至所述第二位线的第一导电端子、耦合至所述互补位线节点的第二导电端子和控制端子，所述第一复制晶体管的控制端子被偏置以使得所述第一复制晶体管至少在所述第二控制信号选择所述第二列时截止；以及第二复制晶体管，其是所述第二晶体管的复制品，并且具有耦合至所述第二互补位线的第一导电端子、耦合至所述位线节点的第二导电端子和控制端子，所述第二复制晶体管的控制端子被偏置以使得所述第二复制晶体管至少在所述第二控制信号选择所述第二列时截止。
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