[发明专利]一种磁性隧道结有效
| 申请号： | 201810745670.4 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN109065705B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 赵巍胜;周家琦 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 | 代理人： | 王顺荣;唐爱华 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种磁性隧道结，结构为：“第一铱层/第一钨层/第一铁磁金属层/隧穿势垒层/第二铁磁金属层/第二钨层/第二铱层”，从而形成一种磁性隧道结。两个铁磁金属层分别为参考层及自由层。参考层的磁化方向固定，不能翻转；自由层的磁化方向可以翻转。当参考层与自由层的磁化方向平行时，磁电阻器件呈现低阻态，存储二进制中的“0”；当参考层与自由层的磁化方向反平行时，磁电阻器件呈现高阻态，存储二进制中的“1”。本发明可产生高隧穿磁阻率，提高磁性隧道结的读取可靠性，同时降低器件写入功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 隧道 | ||
【主权项】：
1.一种磁性隧道结，其结构为“非磁金属层/铁磁金属层/隧穿势垒层/铁磁金属层/非磁金属层”，其特征在于：所述的非磁金属层为铱金属单质或铱金属合金中的一种作为铱层，并利用钨金属单质或钨金属合金中的一种作为钨层防止重金属扩散，即该磁性隧道结的结构为：“第一铱层/第一钨层/第一铁磁金属层/隧穿势垒层/第二铁磁金属层/第二钨层/第二铱层”，从而形成一种磁性隧道结；其中，第一铱层作为顶电极；第一钨层作为覆盖层；第一铁磁金属层作为自由层，自由层的磁化方向可以翻转；隧穿势垒层用于电子隧穿；第二铁磁金属层作为参考层，参考层的磁化方向固定，不能翻转；第二钨层作为种子层；第二铱层作为底电极；铱层可产生高隧穿磁阻率；钨层用于防止重金属扩散，保护隧穿磁阻率；写入电流垂直通入磁性隧道结，利用自旋转移矩效应翻转自由层的磁化方向，实现数据写入；在垂直方向上通入读出电流，利用隧穿磁阻效应，实现数据读出；当参考层与自由层的磁化方向平行时，磁电阻器件呈现低阻态，存储二进制中的“0”；当参考层与自由层的磁化方向反平行时，磁电阻器件呈现高阻态，存储二进制中的“1”。
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