[发明专利]一种梳齿式CMUTs流体密度传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810745339.2 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN108982291B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 赵立波;李杰;李支康;卢德江;赵一鹤;张家旺;徐廷中;蒋庄德 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01N9/00 | 分类号： | G01N9/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种梳齿式CMUTs流体密度传感器及其制备方法，梳齿式超声传感器包括低单晶硅衬底，该衬底上有二氧化硅支柱层，支柱中心刻蚀形成有空腔，空腔上端面用SOI片键合形成密封层，通过抛光工艺将键合晶圆的SOI片硅衬底减薄至梳齿电极厚度，同时SOI片二氧化硅埋层形成二氧化硅绝缘层，通过重掺杂和DRIE工艺将键合晶圆顶端刻蚀出梳齿电极结构以及密封支柱层，再通过二次键合形成二氧化硅保护层，并保证梳齿电极结构处于真空域内。采用梳齿交流电极和梳齿直流电极激振CMUTs薄膜结构，通过对称布置的梳齿电极产生的径向拉压运动而形成的薄膜结构层的弯曲振动，因此相较于传统上、下电极直接加载交流电而产生振动的CMUTs结构，具有更高的品质因子。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 梳齿 cmuts 流体 密度 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种梳齿式CMUTs流体密度传感器，其特征在于，包括CMUTs单元，CMUTs单元包括自下而上依次设置的单晶硅衬底(1)、二氧化硅支柱层(2)、硅结构层(4)、梳齿电极结构和密封支柱层(9)，梳齿电极结构包括间隔设置的梳齿直流电极(6)和梳齿交流电极(7)，二氧化硅支柱层(2)与硅结构层(4)封装形成密封真空腔(3)，其中，单晶硅衬底(1)用做下电极，与梳齿直流电极(6)形成直流偏置电压施加点，也为信号检测端。
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