[发明专利]一种提高空间硅半导体探测器信噪比的方法在审
| 申请号： | 201810693706.9 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108802795A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 把得东;郭睿;薛玉雄;冯展祖;柳青;杨生胜;黄一凡;田海;王光毅 | 申请（专利权）人： | 兰州空间技术物理研究所 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 李微微;仇蕾安 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高空间硅半导体探测器信噪比的方法，将硅半导体传感器和前置放大电路集成在同一块电路板上，有效减小了硅传感器和前置放大电路间传输导线的长度，减小了传输导线的分布电容，提高了硅传感器的信噪比；同时，还能减小整个探测器的体积，具有重要的工程应用意义。 | ||
| 搜索关键词： | 信噪比 减小 硅半导体探测器 前置放大电路 传输导线 硅传感器 电路板 分布电容 工程应用 硅半导体 传感器 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种提高空间硅半导体探测器信噪比的方法，其特征在于，将硅半导体传感器(1‑5)和前置放大电路(1‑3)布置在同一块电路板上；且硅半导体传感器(1‑5)镶嵌该电路板的中央，前置放大电路(1‑3)环绕在硅半导体传感器(1‑5)的周围；前置放大(1‑3)和(1‑5)间通过导线传输信号。
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