[发明专利]一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法

摘要

本发明涉及纳米晶屏蔽片制备领域，公开了一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，包括：1）退火；2）碎片化：在纳米晶屏蔽片表面覆硅胶保护膜后，进行碎片化处理；3）绝缘化填充：将纳米晶屏蔽片浸入纳米级固体绝缘粉末中，采取超声辅助的方式将纳米级固体绝缘粉末填充至裂纹中；4）贴合；5）等静压：将多层纳米晶屏蔽片装入真空袋中，抽真空密封处理；置于水中等静水压处理。本发明采用填充纳米级固体绝缘粉的方式，对碎片化后的纳米晶屏蔽片进行绝缘性处理，能够进一步降低纳米晶屏蔽片的Rs、涡流损耗，提高纳米晶屏蔽片的品质因数和充电效率。

主权项

1.一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，其特征在于包括以下步骤：1）退火：对纳米晶屏蔽片进行退火处理；2）碎片化：在纳米晶屏蔽片表面覆硅胶保护膜后，进行碎片化处理，使纳米晶屏蔽片表面产生裂纹；3）绝缘化填充：将碎片化后的纳米晶屏蔽片浸入纳米级固体绝缘粉末中，采取超声辅助的方式将纳米级固体绝缘粉末填充至裂纹中；4）贴合：取一片纳米晶屏蔽片在其裸露面覆一层有基材或无基材的双面胶，将该纳米晶屏蔽片作为底基面，然后另取一片纳米晶屏蔽片作为第二层，将第二层的裸露面与底基面的双面胶所在面贴合，剥离第二层的硅胶保护膜并覆上双面胶，依次类推贴合至所需层数；得到多层纳米晶屏蔽片，剥去上下表面的硅胶保护膜，在多层纳米晶屏蔽片的一面覆双面胶，另一面覆黑色单面胶，裁剪成设计尺寸；5）等静压：将裁剪后的多层纳米晶屏蔽片装入真空袋中，抽真空密封处理；然后置于水中进行等静水压处理，排除多层纳米晶屏蔽片中的气泡，同时将双面胶充分渗入裂纹中。