[发明专利]一种基于放大器偏置电流和光强的控制电压产生电路在审

专利信息
申请号: 201810675108.9 申请日: 2018-06-27
公开(公告)号: CN109009157A 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 唐枋 申请(专利权)人: 重庆湃芯入微科技有限公司
主分类号: A61B5/1455 分类号: A61B5/1455
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 402260 重庆市江津区双福*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明公开了一种基于放大器偏置电流和光强的控制电压产生电路,包括放大器A1、电容CL、堆叠调节晶体管、光敏二极管PD;所述A1的正电源端接地,负电源端分别与CL的一极、PD的负极连接,CL的另一极接地;A1的输出端与堆叠调节晶体管的栅极连接;堆叠调节晶体管的源极与PD的负极连接,PD的正极接地;堆叠调节晶体管漏极连接Iph和Ileak。本发明可以产生一个用于调整放大器偏置电流的与光强正相关的控制电压VC。
搜索关键词: 堆叠 放大器 偏置电流 晶体管 光强 控制电压产生电路 负极连接 接地 调整放大器 光敏二极管 晶体管漏极 负电源端 控制电压 栅极连接 正电源端 正极接地 输出端 正相关 电容 源极
【主权项】:
1.一种基于放大器偏置电流和光强的控制电压产生电路,其特征在于,包括放大器A1、电容CL、堆叠调节晶体管、光敏二极管PD;所述A1的正电源端接地,负电源端分别与CL的一极、PD的负极连接,CL的另一极接地;A1的输出端与堆叠调节晶体管的栅极连接;堆叠调节晶体管的源极与PD的负极连接,PD的正极接地;堆叠调节晶体管漏极连接Iph和Ileak。
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