[发明专利]磁控管控制方法、磁控管控制装置和磁控溅射设备有效
| 申请号： | 201810659504.2 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110629173B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 兰玥;侯珏;宿晓敖;赵崇军 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种磁控管控制方法、装置及磁控溅射设备。包括：获取在磁控管匀速转动状态下晶圆上各不同沉积区域沉积的膜层的膜厚；其中，使靶材溅射出的粒子在特定入射角度范围内溅射到晶圆上；根据获得的膜厚的不同，将磁控管的运动区域划分为若干个子运动区域，每个子运动区域对应一个沉积区域；分别比较每个子运动区域所对应的沉积区域的膜厚，对应膜厚相对较大的子运动区域，减少磁控管的停留时间；对应膜厚相对较小的子运动区域，增大磁控管的停留时间，以使得各子运动区域所对应的沉积区域的膜厚均匀。可以快速使得各子运动区域所对应的沉积区域的膜厚一致，提高膜层的厚度均匀性，进而提高晶圆的加工制作良率，降低制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控管 控制 方法 装置 磁控溅射 设备 | ||
【主权项】：
1.一种磁控管控制方法，用于提高磁控溅射设备中沉积膜层的膜厚均匀性，其特征在于，包括：/n步骤S110、获取在磁控管匀速转动状态下晶圆上各不同沉积区域沉积的膜层的膜厚；其中，使靶材溅射出的粒子在特定入射角度范围内溅射到所述晶圆上；/n步骤S120、根据获得的膜厚的不同，将所述磁控管的运动区域划分为若干个子运动区域，每个所述子运动区域对应一个所述沉积区域；/n步骤S130、分别比较每个所述子运动区域所对应的所述沉积区域的膜厚，使所述磁控管非匀速转动，对应膜厚相对较大的所述子运动区域，减少所述磁控管在该子运动区域的停留时间；对应膜厚相对较小的所述子运动区域，增大所述磁控管在该子运动区域的停留时间，以使得各所述子运动区域所对应的所述沉积区域的膜厚均匀。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810659504.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
