[发明专利]半导体器件的闪烁噪声模型及其提取方法有效
| 申请号： | 201810657953.3 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN108763830B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 张瑜;商干兵 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/39 | 分类号： | G06F30/39 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的闪烁噪声模型，涉及半导体集成电路，所述半导体器件包括一沟道区和一有源区，所述沟道区的长度为L，所述有源区的宽度为W，且所述半导体器件位于一阱内，所述阱包括一X轴方向和一Y轴方向，其中X轴方向为所述阱的横向方向，Y轴方向为所述阱的纵向方向，所述阱在X轴方向上的两边距离所述沟道区的距离分别为X1和X2，所述阱在Y轴方向上的两边距离所述沟道区的距离分别为Y1和Y2，其特征在于，所述闪烁噪声模型为：Sid＝f′(W，L，f，T，X1，Y1，X2，T2)＝f(W，L，f，T)*f(X1，Y1，X2，Y2)其中：f为半导体器件的频率，T为半导体器件的温度，f(E，L，f，T)为基本的闪烁噪声模型，使半导体器件的闪烁噪声模型更加精确的反应半导体器件的闪烁噪声，适用性更好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 闪烁 噪声 模型 及其 提取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的闪烁噪声模型，用于表征所述半导体器件的闪烁噪声，所述半导体器件包括一沟道区和一有源区，所述沟道区的长度为L，所述有源区的宽度为W，且所述半导体器件位于一阱内，所述阱包括一X轴方向和一Y轴方向，其中X轴方向为所述阱的横向方向，Y轴方向为所述阱的纵向方向，所述阱在X轴方向上的两边距离所述沟道区的距离分别为X1和X2，所述阱在Y轴方向上的两边距离所述沟道区的距离分别为Y1和Y2，其特征在于，所述闪烁噪声模型为：Sid＝f′(W，L，f，T，X1，Y1，X2，Y2)＝f(W，L，f，T)*f(X1，Y1，X2，Y2)其中：f为半导体器件的频率，T为半导体器件的温度，f(W，L，f，T)为基本的闪烁噪声模型。
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