[发明专利]一种离子源、镀膜装置以及镀膜方法在审
| 申请号： | 201810654789.0 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN109576665A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 赵鑫 | 申请（专利权）人： | 新奥科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46;C23C14/04 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 李文博 |
| 地址： | 065001 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及等离子体技术领域，尤其涉及一种离子源、镀膜装置以及镀膜方法。通过对离子源的结构进行改进，能够提高管道内壁的等离子体溅射镀膜的成膜均匀性。一种离子源，包括：发射电极；发射电极为柱状；阴极靶材，阴极靶材为中空柱状结构，且中空柱状结构套设于发射电极的柱状侧面上，阴极靶材背向所述发射电极的表面为溅射面；分别覆盖于发射电极的柱状上下两个底面上的接地电极层，每一个接地电极层与发射电极和阴极靶材绝缘连接。本发明实施例用于对管状工件的内壁镀膜。 | ||
| 搜索关键词： | 发射电极 阴极靶材 离子源 镀膜 中空柱状结构 接地电极层 镀膜装置 柱状 等离子体技术 等离子体溅射 成膜均匀性 管道内壁 管状工件 绝缘连接 内壁镀膜 柱状侧面 溅射面 覆盖 改进 | ||
【主权项】：
1.一种离子源，其特征在于，包括：发射电极；所述发射电极为柱状；阴极靶材，所述阴极靶材为中空柱状结构，且所述中空柱状结构套设于所述发射电极的柱状侧面上，所述阴极靶材背向所述发射电极的表面为溅射面；分别覆盖于所述发射电极的柱状上下两个底面上的接地电极层，每一个所述接地电极层与所述发射电极和所述阴极靶材绝缘连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新奥科技发展有限公司，未经新奥科技发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810654789.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
