[发明专利]一种用于检测次氯酸根的单根硅纳米线荧光化学传感器及其制备方法和应用有效
申请号: | 201810641745.4 | 申请日: | 2018-06-21 |
公开(公告)号: | CN108913120B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 穆丽璇;曹星星;师文生 | 申请(专利权)人: | 中国科学院理化技术研究所 |
主分类号: | G01N21/64 | 分类号: | G01N21/64;C09K11/02;C09K11/59 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 白凤莹 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种用于检测次氯酸根的单根硅纳米线荧光化学传感器及其制备方法和应用。本发明首先公开了用于检测次氯酸根的单根硅纳米线荧光化学传感器是表面修饰有IR780衍生物的单根硅纳米线。本发明进一步公开了上述单根硅纳米线荧光化学传感器的制备方法和应用。本发明将用于检测次氯酸根的单根硅纳米线荧光化学传感器固定于毛细管微针尖端,并借助于微操作系统及激光扫描共聚焦显微镜,定位于单细胞内部,最终实现了单细胞中次氯酸根的检测,通过硅纳米线的物理定位很好的解决了纳米颗粒的漂移问题。本发明用于检测次氯酸根的单根硅纳米线荧光化学传感器在揭示次氯酸根在生理学和病理学中的作用方面具有潜在的价值,具有很好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 检测 次氯酸 单根硅 纳米 荧光 化学 传感器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种用于检测次氯酸根的单根硅纳米线荧光化学传感器,其特征在于,所述单根硅纳米线荧光化学传感器是表面修饰有IR780衍生物的单根硅纳米线。
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