[发明专利]适用于高速GaN功率器件栅驱动的开关MOS自举充电电路

摘要

适用于高速GaN功率器件栅驱动的开关MOS自举充电电路，属于电子电路技术领域。包括反相器链、二极管、电荷泵电容和开关管，反相器链的输出端通过电荷泵电容后连接二极管的阴极，二极管的阳极连接电源电压；开关管的栅极连接二极管的阴极，其漏极作为开关MOS自举充电电路的输出端；开关MOS自举充电电路还包括电平位移模块、恒流源模块和开关模块，电平位移模块的输入端作为开关MOS自举充电电路的输入端，其输出端连接反相器链的输入端；恒流源模块接在开关管的栅极和地之间；开关模块接在开关管的源极和电源电压之间。本发明能够解决传统开关MOS自举电路中存在的开关管误开启和自举电容过充电的问题。

主权项

1.适用于高速GaN功率器件栅驱动的开关MOS自举充电电路，包括反相器链、二极管(D1)、电荷泵电容(Cpop)和开关管(MN10)，/n反相器链的输出端通过电荷泵电容(Cpop)后连接二极管(D1)的阴极，二极管(D1)的阳极连接电源电压(VCC)；/n开关管(MN10)的栅极连接二极管(D1)的阴极，其漏极作为所述开关MOS自举充电电路的输出端；/n其特征在于，所述开关MOS自举充电电路还包括电平位移模块、恒流源模块和开关模块，/n所述电平位移模块的输入端作为所述开关MOS自举充电电路的输入端，其输出端连接所述反相器链的输入端；/n所述恒流源模块接在开关管(MN10)的栅极和地(VSS)之间；/n所述开关模块接在所述开关管(MN10)的源极和电源电压(VCC)之间；/n所述GaN功率器件包括上功率管和下功率管，所述开关MOS自举充电电路的输入端连接所述下功率管的栅极驱动信号，所述开关模块由一个与所述上功率管的开关信号具有相同电平的逻辑信号控制。/n