[发明专利]复合光催化剂及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810602422.4 申请日: 2018-06-12
公开(公告)号: CN108855149A 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 梁桂杰;陈美华;汪竞阳;李望南;王松;程晓红;吴凯丰 申请(专利权)人: 湖北文理学院
主分类号: B01J27/057 分类号: B01J27/057;C01B3/02
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 王宁宁
地址: 441000 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 复合光催化剂及其制备方法,属于光催化领域。复合光催化剂包括MoS2纳米片及吸附于MoS2纳米片的Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱,Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱包括CdSe量子片核层和CdTe量子片壳层。其具备吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光催化产氢量子产率高等优点。复合光催化剂的制备方法包括将含MoS2纳米片的第一反应液滴加于含Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的第二反应液中超声分散,得复合光催化剂。其可控性好、成本低、适用范围广,制得的光催化剂吸光效率及产氢效率高。
搜索关键词: 复合光催化剂 量子阱 纳米片 量子 制备 界面电荷 吸光效率 光催化 产氢效率 超声分散 反应液滴 分离效率 复合作用 光催化剂 可控性 产率 产氢 核层 片壳 吸附
【主权项】:
1.一种复合光催化剂,其特征在于,包括MoS2纳米片及吸附于所述MoS2纳米片的Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱,所述Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱包括CdSe量子片核层和CdTe量子片壳层。
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