[发明专利]一种CVI-SiC纳米线增强复合碳泡沫材料在审

专利信息
申请号: 201810591706.8 申请日: 2018-05-27
公开(公告)号: CN108751159A 公开(公告)日: 2018-11-06
发明(设计)人: 陈照峰;张俊雄;汤浩;柳炀;王雨珂 申请(专利权)人: 南京航空航天大学
主分类号: C01B32/05 分类号: C01B32/05;C01B32/963;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 210016 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明为一种CVI‑SiC纳米线增强复合碳泡沫材料及其制备方法,由三维网状的碳泡沫和生长在碳泡沫上的SiC纳米线构成,所述碳泡沫的泡壁截面为圆形、椭圆形或三角形,其孔隙率95~99.5%,孔径大小10‑50μm;所述SiC纳米线为纯度≥99%的尖端带有金属球的β‑SiC纳米线,纳米线直径10~80nm,长度为0.5~50μm。该复合泡沫具有密度低,比表面积大,耐温性好,抗压性好等优点,可用于超级电容器,储能材料,催化剂载体等。
搜索关键词: 碳泡沫 泡沫材料 复合碳 纳米线 超级电容器 催化剂载体 储能材料 复合泡沫 三维网状 金属球 抗压性 孔隙率 耐温性 可用 泡壁 制备 生长
【主权项】:
1.一种CVI‑SiC纳米线增强复合碳泡沫材料,由三维网状的碳泡沫和生长在碳泡沫上的SiC纳米线构成,碳泡沫的泡壁截面为圆形、椭圆形或三角形,尺寸为1‑10μm,碳泡沫的孔隙率为95~99.5%,碳泡沫的孔径大小为10‑50μm,长径比为5~20,压缩强度为20~50kPa;所述SiC纳米线为尖端带有金属球的β‑SiC纳米线,纯度≥99%,纳米线的直径为10~80nm,长度为0.5~50μm。
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