[发明专利]基于电介质纳米砖超材料的线偏振光起偏器及制备方法有效
| 申请号： | 201810575094.3 | 申请日： | 2018-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN108663740B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 郑国兴;陈奎先;崔圆;邓联贵;邓娟;戴琦;付娆;李子乐;刘勇;毛庆洲 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30;G02B27/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于电介质纳米砖超材料的线偏振光起偏器及制备方法，包括一基底和三透射式纳米砖阵列；基底的一侧面设有第一透射式纳米砖阵列，与该一侧面相对的另一侧面设有第二透射式纳米砖阵列和第三透射式纳米砖阵列；第一透射式纳米砖阵列和第二透射式纳米砖阵列均由若干纳米砖阵列单元在基底上按阵列形式排列构成；纳米砖阵列单元又由基底上等间距排列成一行的方位角为零、但尺寸不一的若干电介质纳米砖构成；第三透射式纳米砖阵列由若干方位角为45°且尺寸一致的电介质纳米砖按阵列形式排列构成。本发明可将一束随机偏振态入射光，高效地转换为振动方向相同且传播方向不变的两束线偏光；同时，本发明还具有低损耗、制造简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电介质 纳米 材料 偏振光 起偏器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.基于电介质纳米砖超材料的线偏振光起偏器，其特征是：包括一基底和三透射式纳米砖阵列；基底的一侧面设有第一透射式纳米砖阵列，与该一侧面相对的另一侧面设有第二透射式纳米砖阵列和第三透射式纳米砖阵列，第一透射式纳米砖阵列和第三透射式纳米砖阵列相对设置；所述第一透射式纳米砖阵列和所述第二透射式纳米砖阵列均由若干纳米砖阵列单元在基底上按阵列形式排列构成；其中，纳米砖阵列单元又由基底上等间距排列成一行的方位角为零、但尺寸不一的若干电介质纳米砖构成；所述第三透射式纳米砖阵列由若干方位角为45°且尺寸一致的电介质纳米砖按阵列形式排列构成；第一透射式纳米砖阵列、第二透射式纳米砖阵列、第三透射式纳米砖阵列中，所有相邻的电介质纳米砖在行方向和列方向上的间距均相等，且在行方向上的间距等于在列方向上的间距；所述电介质纳米砖均为亚波长尺寸。
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