[发明专利]基于TMR弱磁传感器阵列的脑磁信息检测系统及方法有效
| 申请号： | 201810568531.9 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN109009065B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 陈书行;王胜峰;钟秋婵;唐詹;高秀敏 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | A61B5/245 | 分类号： | A61B5/245 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根;王晶 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于TMR弱磁传感器阵列的脑磁信息检测系统及方法，该系统由TMR弱磁传感器阵列检测模块和信号分析模块组成，该方法的步骤为：1)将带有TMR磁组传感器的圆锥形装配单元的磁阻传感器阵列结构安放在头部，形成脑磁传感层，由磁阻传感器阵列采集脑磁场信息；2）采用磁阻传感器阵列结构中TMR磁阻传感器产生的磁场方向相反的结构；3)由信号分析模块从TMR弱磁传感器阵列检测模块中磁阻元件的输出信号中提取奇次谐波，并对奇次谐波进行分析，再通过优化算法进行数据分析，从而准确的检测出脑磁信息。本发明具有简易的算法，实现方便，性能稳定，结果可靠、易于扩展、效益高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 tmr 传感器 阵列 信息 检测 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于TMR弱磁传感器阵列的脑磁信息检测系统，由TMR弱磁传感器阵列检测模块(7)和信号分析模块(13)组成，其特征在于：所述TMR弱磁传感器阵列检测模块(7)中具有固定磁层的磁场方向相反的磁阻传感器装配单元组成的磁阻传感器阵列结构，所述磁阻传感器装配单元包括TMR传感器结构、圆锥形装配单元(6)的基片底层(4)，TMR传感器结构贴片于圆锥形装配单元(6)的基片底层(4)上，TMR传感器结构中的补偿电阻(1)与TMR磁阻元件(12)的贴片连接，补偿电阻(1)两个终端分别作为TMR磁阻元件(12)的电源输入终端和信号输出终端，与TMR磁阻元件(12)连接，所述TMR弱磁传感器阵列检测模块(7)与信号分析模块(13)相连接。
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