[发明专利]一种抵消偏差的MRAM读出放大器

摘要

本发明公开了一种抵消偏差的MRAM读出放大器，作为MRAM读出电路的后级放大器，包括参数等同的NMOS管M0和M1，参数等同的NMOS管M2和M3，参数等同的PMOS管M4和M5，电容器C0和C1，三个相同的开关K1和开关K2；M2的漏极和M4的漏极连接，连接点为A点，M2的栅极和M4的栅极连接，连接点为B点，M3的漏极和M5的漏极连接，连接点为C点，M3的栅极和M5的栅极连接，连接点位D点，电容器C0接在B点和C点之间，电容器C1接在A点和D点之间。在工作阶段，电容器C0和C1抵消了读出差分放大器的不对称。本发明在一般的差分比较器的基础上增加了一对电容，能够抵消读出差分放大器的不对称，同时该放大器的面积不需要做得很大。

主权项

1.一种抵消偏差的MRAM读出放大器，作为MRAM读出电路的后级放大器，其特征在于，/n所述读出放大器包括参数等同的NMOS管M0和M1，参数等同的NMOS管M2和M3，参数等同的PMOS管M4和M5，电容器C0和C1，三个相同的开关K1和开关K2；/n所述M1的栅极通过所述开关K2连接输入电压VIN，所述M0的栅极连接参考电压VREF，所述M1和所述M0的源极连接在一起，连接地VSS；所述M1和所述M0的栅极通过其中一个所述开关K1连接；/n所述M0的漏极和所述M2的源极连接，所述M2的漏极和所述M4的漏极连接，连接点为A点；所述M2的栅极和所述M4的栅极连接，连接点为B点；所述M1的漏极和所述M3的源极连接，所述M3的漏极和所述M5的漏极连接，连接点为C点；所述M3的栅极和所述M5的栅极连接，连接点位D点；所述M4的源极和所述M5的源极连接，连接电源VDD；/n所述电容器C0接在所述B点和所述C点之间，其中一个所述开关K1接在所述A点和所述B点之间；所述电容器C1接在所述A点和所述D点之间，其中一个所述开关K1接在所述D点和所述C点之间；/n所述A点接输出OUTN；所述C点接输出OUTP，所述读出放大器比较所述VIN和VREF，结果输出到所述OUTP和OUTN。/n