[发明专利]西红花的组织培养法

摘要

本发明公开了一种西红花的组织培养法，包括以下步骤：掰下西红花球茎的侧芽进行冲洗、消毒、切割，然后横放接种到愈伤组织诱导培养基上进行培养，直至形成簇状生长的愈伤组织；将愈伤组织分割成小块后接种到诱导不定芽培养基上进行培养，直至长出不定芽；割取不定芽接种到球茎诱导培养基中，从而获得小球茎Ⅰ；再将小球茎Ⅰ接种到壮苗培养基上进行壮苗培养，得可出瓶种植进行移栽的小球茎Ⅱ。采用该方法能获得大量的西红花组培种苗。

主权项

1.西红花的组织培养法，其特征是包括以下步骤：1)、取生长健壮且无病虫害的西红花球茎，掰下侧芽后流水冲洗；2)、愈伤组织的诱导：将上述流水冲洗后的西红花球茎侧芽经消毒后，切割成长度为3～5mm，横放接种到愈伤组织诱导培养基上进行培养，直至形成簇状生长的愈伤组织；培养条件为：16小时光照，光照强度30～40μmol m‑2·s‑1，温度为25±1℃；8小时暗培养，温度为21±1℃；上述光照和暗培养交替进行；3)、不定芽诱导：将步骤2)所得的愈伤组织分割成长度为0.5～1cm的小块；将小块愈伤组织接种到诱导不定芽培养基上进行培养，直至小块愈伤组织长出0.6～1.1cm的不定芽；培养条件为：16小时光照，光照强度30～40μmol m‑2·s‑1，温度为25±1℃；8小时暗培养，温度为21±1℃；上述光照和暗培养交替进行；4)、小球茎培养：割取步骤3)所得的不定芽作为单株小苗，将此小苗接种到球茎诱导培养基中，从而使其进一步发育成至少有一条长度≥0.9cm根的小球茎Ⅰ；培养条件为：16小时光照，光照强度40～50μmol m‑2·s‑1，温度为22～26℃；8小时暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行；5)、壮苗培养：将上述小球茎Ⅰ接种到壮苗培养基上进行壮苗培养，培养条件为：16小时光照，光照强度40～50μmol m‑2·s‑1，温度为22～26℃；8小时暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行，直至获得至少有2条长度≥0.9cm根的小球茎Ⅱ。