[发明专利]一种产生中子源的方法在审
申请号: | 201810535332.8 | 申请日: | 2018-05-28 |
公开(公告)号: | CN108711460A | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | 陈忠靖;晏骥;张兴;陈黎;蒋炜;郑建华 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
主分类号: | G21G4/02 | 分类号: | G21G4/02 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 吴开磊 |
地址: | 621000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种产生中子源的方法,包括:利用激光打击含有聚变燃料的反射结构,反射结构内部具有汇聚空间,反射结构被配置成当激光射入反射结构的内部对其进行烧蚀时,产生的等离子体能够被反射结构反射汇聚到汇聚空间。其利用激光对反射结构的内部材料烧蚀,产生反向高速运动的等离子体。反向高速运动的等离子体集聚到汇聚空间,高速运动的等离子体与集聚到汇聚空间的等离子体碰撞,将能量转化为等离子体内能,使得集聚的等离子体温度升高。当激光持续发射,可实现集聚的等离子体温度持续升高,直至达到一个平衡点,然后聚集等离子体体积不断增长,形成一个稠密高温等离子体球。等离子体球中的聚变燃料发生热核反应,发射中子。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 反射结构 汇聚 高速运动 激光 集聚 中子源 烧蚀 高温等离子体 等离子体球 持续发射 内部材料 能量转化 燃料发生 平衡点 反射 射入 稠密 升高 燃料 发射 配置 打击 | ||
【主权项】:
1.一种产生中子源的方法,其特征在于,包括:利用激光打击含有聚变燃料的反射结构,所述反射结构内部具有汇聚空间,所述反射结构被配置成当所述激光射入所述反射结构的内部对其进行烧蚀时,产生的等离子体能够被所述反射结构反射汇聚到所述汇聚空间。
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