[发明专利]一种表面贴电阻的基片集成波导衰减器

摘要

本发明属于微波电路技术，特别涉及一种基于表面贴电阻的基片集成波导SIW衰减器。本发明在SIW本体中，沿着与电磁场传播的垂直方向等距离开3条槽线，并在其中引入等间距的耗能元件‑电阻，增加传播通道上的损耗。当电磁波在SIW本体中传播的时候，被槽线隔断的SIW表面结构将阻挡电磁波的继续传播，此时表面贴电阻在传播的同时对信号进行一定程度的衰减。其衰减量的大小与电阻值成正比关系：当电阻值是零欧时，近似于常规的SIW结构，无衰减；当电阻值无穷大时，等效于SIW本体被槽线隔断，传输通道断开。本发明提供了一种新的SIW衰减器结构，增加了带宽，并获得了更好的平坦度。

主权项

1.一种表面贴电阻的基片集成波导衰减器，包括SIW本体、渐变线和微带线，SIW本体通过两条渐变线与两条微带线相连，其特征在于：/n所述SIW本体设有3条互相平行等距的槽线，用于安装贴片电阻，并引入4个匹配用的金属化通孔；/nSIW本体宽边长度为Ws，即两行金属化通孔的行间距，长边为Ls；渐变线与SIW本体宽边的衔接边为Wt，在两条Wt的上下两侧各自引入一个匹配用的共计4个金属化通孔，且4个匹配用金属化通孔与SIW本体的几何中心成轴对称和中心对称；/n所述3条槽线沿垂直于SIW本体中电磁波传播方向设置，长度Lc有Ws-2*Dvp≤Lc≤Ws，宽度Gap有Gap≤0.15mm；中间槽线的几何中心与SIW本体的几何中心重合；/n各槽线中的贴片电阻设置一致，均以Gap_W等间距设置且沿SIW本体中心对称，0mm＜Gap_W＜Ws/5，贴片电阻的阻值R均相同；/nLm为微带线的长度，Wm为微带线的线宽，Lt为渐变线长度，Dvp为金属化通孔的直径，Svp为同行相邻金属化通孔的中心孔间距，Lx为匹配用金属化通孔的圆心距离对应的SIW本体宽边横向距离，0mm＜Lx＜3mm，Ly为匹配用金属化通孔与同侧金属化通孔的纵向孔心距，0mm＜Ly＜(Ws-Wt)/2，Gap_L为相邻槽线的中心间距；/n该表面贴电阻的基片集成波导衰减器中，电磁波在SIW本体以TE10模式进行传播，传输结构中的正反面需要金属层覆盖以约束电磁波的传播边界；当电磁波在SIW本体中传播的时候，被槽线隔断的SIW表面结构将阻挡电磁波的继续传播，在槽线两侧放置的表面贴电阻在传播TE10模的同时对信号进行衰减，衰减量的大小与电阻值成正比关系：当电阻值是零欧时，近似于常规的SIW结构，无衰减；当电阻值无穷大时，等效于SIW本体被槽线隔断，传输通道断开。/n