[发明专利]一种使用MRAM的存储装置有效
| 申请号： | 201810519976.8 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110543430B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种使用MRAM的存储装置，包括主存储器、主控制器、第一辅助存储器，主控制器内集成第二辅助存储器和搜索加速器；第一辅助存储器和第二辅助存储器都是非易失的随机读写存储器，搜索加速器用于控制内容寻址操作以便加速搜索第二辅助存储器中的数据。主存储器选用NAND闪存，第一辅助存储器是独立的MRAM芯片，第二辅助存储器是MRAM。主控制器内集成的第二辅助存储器分成多个存储空间，主控制器内集成多个搜索加速器，每个搜索加速器负责检索一个存储空间。本发明提出的这种使用在控制芯片内置MRAM、外置MRAM与闪存的混合式存储装置，是一个费效比很高的存储解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 mram 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置，其特征在于，包括主存储器、主控制器、第一辅助存储器，所述主控制器内集成第二辅助存储器和搜索加速器；所述第一辅助存储器和所述第二辅助存储器都是非易失的随机读写存储器，所述搜索加速器用于控制内容寻址操作以便加速搜索所述第二辅助存储器中的数据。/n
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