[发明专利]一种低温辐射计暗腔的精密成型方法在审
| 申请号： | 201810500303.8 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108747213A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 金春玲;张林昆;闫晶晶 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | B23P15/00 | 分类号： | B23P15/00 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 陈永宁 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低温辐射计暗腔的精密成型方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：精密加工芯模；步骤二：在芯模表面镀涂；步骤三：切削加工方式去除部分芯模；步骤四：化学腐蚀的方法将芯模去除干净，完成腔体的精密成型。步骤二和步骤三之间进行热处理去除镀层的应力。本发明采用新的低温辐射计暗腔的精密成型方法，通过在芯模表面镀涂材料，然后去除芯模的成型方法，解决了现有方法的折弯精度不高，焊接存在缺陷以及焊接变形等问题。采用低温辐射计暗腔的精密成型方法，能有效保证暗腔的尺寸精度、形位精度、内表面粗糙度以及解决信号泄露等问题，在提高成型精度的基础上，提高产品的一致性及良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 精密成型 暗腔 低温辐射计 芯模 去除 芯模表面 成型 内表面粗糙度 热处理 焊接变形 化学腐蚀 精密加工 切削加工 信号泄露 良品率 镀层 腔体 形位 折弯 焊接 保证 | ||
【主权项】：
1.一种低温辐射计暗腔的精密成型方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：精密加工芯模(1)；步骤二：在芯模(1)表面镀涂；步骤三：切削加工方式去除部分芯模(1)；步骤四：化学腐蚀的方法将芯模(1)去除干净，完成腔体(2)的精密成型。
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