[发明专利]基准电流产生电路中的内部电源产生电路在审
| 申请号： | 201810471579.8 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN108681358A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 袁志勇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基准电流产生电路中的内部电源产生电路，第一PMOS晶体管的源极和衬底、第一电阻的一端与VPWR连接；第一电阻的另一端与第二PMOS晶体管的源极连接；第一PMOS晶体管的栅极和漏极与第二PMOS晶体管的栅极、第一NMOS晶体管的漏极连接，第二PMOS晶体管的漏极与第三NMOS晶体管的栅极和漏极、第五NMOS晶体管的栅极连接；第三NMOS晶体管的源极与第三PMOS晶体管的源极连接，第三PMOS晶体管的漏极和栅极与第一NMOS晶体管的栅极、第二NMOS晶体管的栅极、第四NMOS晶体管的栅极连接；第五NMOS晶体管的漏极与电源电压端VPWR连接，其源极与第四NMOS晶体管的漏极连接。本发明能够简化电路结构，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 漏极 源极 基准电流产生电路 产生电路 内部电源 源极连接 栅极连接 电阻 简化电路结构 电源电压端 衬底 节约 | ||
【主权项】：
1.一种基准电流产生电路中的内部电源产生电路，其特征在于：由三个PMOS晶体管、五个NMOS晶体管和一个电阻组成；第一PMOS晶体管的源极和衬底与电源电压端VPWR相连接，第一电阻的一端与电源电压端VPWR相连接；第一电阻的另一端与第二PMOS晶体管的源极相连接；第一PMOS晶体管的栅极和漏极与第二PMOS晶体管的栅极、第一NMOS晶体管的漏极相连接，第二PMOS晶体管的漏极与第三NMOS晶体管的栅极和漏极、第五NMOS晶体管的栅极相连接；第三NMOS晶体管的源极与第三PMOS晶体管的源极相连接，第三PMOS晶体管的漏极和栅极与第一NMOS晶体管的栅极、第二NMOS晶体管的栅极、第四NMOS晶体管的栅极相连接，第三NMOS晶体管的衬底与第一NMOS晶体管的衬底和源极接地；第二NMOS晶体管的衬底和源极接地，第三PMOS晶体管的衬底、第二PMOS晶体管的衬底与电源电压端VPWR相连接；第五NMOS晶体管的漏极与电源电压端VPWR相连接，第五NMOS晶体管的源极与第四NMOS晶体管的漏极相连接，第五NMOS晶体管的衬底与第四NMOS晶体管的衬底和源极接地；第五NMOS晶体管的源极与第四NMOS晶体管的漏极连接的节点作为内部电源的输出端VPWRI。
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