[发明专利]一种CMUTs流体密度传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810468138.2 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN108918662B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 赵立波;张家旺;李支康;李杰;卢德江;赵一鹤;徐廷中;蒋庄德 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01N29/036 | 分类号： | G01N29/036 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种CMUTS流体密度传感器及其制备方法，CMUTs单元结构包括基底、下电极、二氧化硅热应力匹配层、二氧化硅支柱、二氧化硅振动薄膜层、环形金属上电极、二氧化硅绝缘层、声阻抗匹配层和隔声墙。本发明采用环形薄膜作为振动结构，相比于传统的圆形薄膜提高了谐振频率和密度检测灵敏度，同时隔声墙能有效减小CMUTs阵列中单元间的超声互辐射，从而使传感器具有更高的精度，阻抗匹配层的设置能有效提高CMUTs检测信号的强度；对CMUTs的上下电极采用低热膨胀系数的绝缘二氧化硅进行覆盖，使传感器能工作于高温、导电和腐蚀性流体的测量环境中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmuts 流体 密度 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMUTs流体密度传感器，其特征在于，包括CMUTS单元，CMUTS单元包括单晶硅基底(11)，单晶硅基底(11)内设置有下电极(10)，下电极(10)上设置有二氧化硅热应力匹配层(9)，上方设置有环形的CMUTs振动薄膜，CMUTs振动薄膜包括自下至上依次设置的二氧化硅振动薄膜(5)、环形金属上电极(4)和二氧化硅绝缘层(3)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810468138.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
