[发明专利]一种高稳定性的基准电压产生电路

摘要

本发明涉及模拟电路技术领域，尤其涉及的是一种高稳定性的基准电压产生电路。本发明提供的一种高稳定性的基准电压产生电路，包括MOS管M1~M12、电阻R1~R6和三极管Q1、Q2。该基准电压产生电路有效地解决了现有技术中基准电压源温度系数高、稳定性差的问题，在传统基准电压电路的基础上进行改进，降低了输出电压的温度系数，具有较高的输出稳定性。

主权项

1.一种高稳定性的基准电压产生电路，其特征在于，包括MOS管M1~M12、电阻R1~R6和NPN型三极管Q1、Q2，所述MOS管M5、M6、M7的源极连接电源电压VDD且栅极均相连，MOS管M5的漏极连接电阻R5的一端和MOS管M3、M4的栅极，电阻R5的另一端连接M3的漏极以及MOS管M1、M2的栅极，MOS管M1的漏极连接M3的源极，MOS管M1的源极接地；MOS管M6的栅极、漏极相连并连接MOS管M4的漏极，MOS管M2的漏极连接MOS管M4的源极以及MOS管M8的漏极；电阻R6的一端连接MOS管M2的源极，另一端接地；MOS管M8~M12的源极均连接MOS管M7的漏极，MOS管M9的漏极连接M8的栅极以及三极管Q1的集电极，三极管Q1的发射极接地；MOS管M9、M10的栅极相连并连接M10的漏极以及三极管Q2的集电极，三极管Q2的发射极连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端接地，三极管Q2的发射极即为基准电压输出端VREF；电阻R1一端连接MOS管M12的漏极和三极管Q2的基极，另一端连接三极管Q1的基极和电阻R2的一端，电阻R2的另一端接地；MOS管M11、M12的栅极相连并连接MOS管M11的漏极和电阻R4的一端，电阻R4的另一端接地；所述MOS管M1~M4为NMOS管，所述MOS管M5~M12为PMOS管。